专利名称：一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置及测量方法

专利号＼申请号：2019110292757

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：机械

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明公开了一种纳米级别近场热辐射高精度测量装置及测量方法，装置包括真空腔，宏动位移台、微动位移台、加热片、制冷片、L型转接板、第一热敏电阻和第二热敏电阻、散热装置、偏转台、外围电路和恒压源；所述微动位移台设置在宏动位移台上，利用微动位移台和宏动位移台的结合，实现1nm到10cm大范围距离的可控移动，可以测量近场热辐射更加精准可以达到百纳米级别，通过实验实现170nm的间隙距离测量近场热辐射量，表面积为5×5mm2，在大平板测量近场热辐射方面我们做到了最小的间距和更高的热辐射效率。

专利名称：一种基于单图像传感器同时获取可见光与近红外波段的成像装置及其成像方法

专利号＼申请号：2019109248448

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：电学

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明涉及一种基于单图像传感器同时获取可见光与近红外波段的成像装置及其成像方法，该成像装置中用于图像传感器的彩色滤光片包含有多个滤光片排布单元，其滤光片排布单元在绿色以及近红外滤光片的抽样密度达到3/8，蓝色以及红色滤光片的抽样密度达到1/8时，能够同时获取物理反射的可见光以及激发的近红外光，获得了准确的彩色数据。在包含有该彩色绿光片的图像传感器前设置陷波滤波器进一步实现了成像的准确性。该成像装置应用于医学成像中，实现了对目标组织的高灵敏度。

专利名称：一种受激辐射损耗方法、超分辨成像方法及显微成像装置

专利号＼申请号：201611142884X

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：电学

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明公开了一种受激辐射损耗方法、超分辨成像方法及显微成像装置。所述受激辐射损耗方法利用近红外光在稀土掺杂上转换纳米材料的激活剂中引起受激辐射，使涉及上转换过程的一个或多个特定能级粒子受迫跃迁至低能级，从而实现对上转换纳米材料上转换发光的高效率光控损耗。基于该受激辐射损耗方法，提出将近红外损耗光利用空间相位调制板调制为空心光束，与激发光束进行准直共轭聚焦后实现对稀土掺杂上转换纳米材料及其标记样品的超分辨成像。基于该超分辨成像方法，搭建由激发光生成模块、损耗光生成模块、偏振分光棱镜、多光子显微扫描模块和光电探测模块组成的显微成像装置，获得低成本、低复杂度、高分辨率、简便、有效的实时动态三维图像。