专利名称：一种集成电路的内建自测试方法及应用

专利号＼申请号：2015100145471

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：电学

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明公开了一种集成电路的内建自测试方法及应用。本发明通过使用二元判定图来生成电路中每一个故障的所有测试矢量，并通过对测试矢量的选取，来获得具有极小规模的电路测试集；在被测电路的内建自测试中直接使用这种极小规模的电路测试集来对电路进行测试。本发明可以使内建自测试达到100％的故障覆盖率，同时在测试时间方面由于是使用了极小规模测试集，因此使测试时间有了很大地降低，可以使测试时间达到较小。因此，本发明提供的内建自测试方法能有效地检测集成电路中是否存在故障。

专利名称：一种锂硫电池复合正极材料及其制备方法与应用

专利号＼申请号：2014105890103

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：化学

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明属于电化学领域，公开了一种多壁碳纳米管/硫/聚苯胺复合正极材料及其制备方法与其在制备锂硫电池正极片中的应用。所述锂硫电池复合正极材料为多壁碳纳米管/硫/聚苯胺复合正极材料，具有三明治结构；本发明采用原位聚合法在多壁碳纳米管/硫复合材料上包覆导电聚苯胺，形成多壁碳纳米管/硫/聚苯胺复合正极材料；所述多壁碳纳米管/硫复合材料采用化学共沉积法制备。所述制备方法工艺简单，成本低，产物一致性、稳定性高。所得锂硫电池复合正极材料电子和离子导电性强，载硫量高，可用于制备锂电池复合正极片；所得锂电池复合正极片循环稳定性和容量保持率高。

专利名称：一种基于紫外光刻技术的布基微流控芯片制备方法

专利号＼申请号：2014103399066

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：电学

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明公开了一种基于紫外光刻技术的布基微流控芯片制备方法，该方法包括如下步骤：1、配制PVC光刻胶；2、布片预处理；3、设计掩膜；4、将PVC光刻胶均匀涂于布片上，经过前烘后，把布片放置于载片平台，掩膜对准，进行紫外曝光；后烘，再将涂胶布片放到丁酮中显影，再放到丙酮中漂洗，用纯净水冲洗后，用SDS溶液洗涤，再用纯净水冲洗；烘干，得到布基微流控芯片。相比于图案蜡模法、纺织法加工，本制备方法能够在布基微流控芯片上加工出高分辨率的疏水区和亲水区，芯片上亲水通道宽度低至500微米，疏水坝宽度低至100微米，高通量、精度高、加工检测效率高。