专利名称：一种单晶GaN纳米线及其制备方法

专利号＼申请号：2019102127762

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：化学

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明涉及一种单晶GaN纳米线及其制备方法，其包括GaN薄膜的MOCVD外延生长、紫外光刻、ICP刻蚀和电化学剥离过程，实现了将GaN薄膜转化成一维GaN纳米线，制备出了长度、厚度和宽度可控的单晶GaN纳米线。通过将外延GaN薄膜、物理化学刻蚀与电化学腐蚀技术结合起来，使得图形化的GaN脱离了原始衬底，获得了一维GaN纳米线，释放其生长时产生的固有内在应力。这种方法成本较低，且操作简单，重复性高，在一维GaN纳米线光电器件研制方面有着广泛的应用前景。

专利名称：一种组合式立体角扫描的光、声内窥成像装置及其方法

专利号＼申请号：2015110263506

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：机械

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明涉及一种组合式立体角扫描的光、声内窥成像装置，所述的装置包括套管和均设置在套管内的步进电机、旋转轴、光电滑环、光纤耦合器、聚焦透镜、油室、检测平台、光缆和电缆，所述的油室内设有超声换能器、反射镜、反射镜驱动器；从所述装置的近端到远端，光电滑环、光纤耦合器、聚焦透镜、油室依次安装在旋转轴上，油室内设有依次排列的超声换能器、反射镜、反射镜驱动器，反射镜安装在反射镜驱动器上。本发明还涉及该装置的成像方法。该装置的扫描效率和扫描精度高，单次扫描的范围大，属于内窥镜技术领域。

专利名称：一种锂离子电池负极材料多孔钴酸锌及其制备方法与应用

专利号＼申请号：2013105355369

注 册 地：中国

专利类型：发明

专利领域：化学

联 系 人：温建梅
联系方式：020-38743199
简介说明：
当前权利人：华南师范大学
本发明属于电池材料制备领域，公开了一种锂离子电池负极材料多孔钴酸锌及其制备方法与应用。本发明通过将锌盐、钴盐溶于分散剂得到分散液后，然后将分散液缓慢滴入络合剂分散液中，搅拌后得到浑浊液，离心洗涤干燥后得到钴酸锌前驱体，最终经过煅烧得到该锂离子电池负极材料多孔钴酸锌，制备方法工艺简单、实施方便；将锂离子电池负极材料钴酸锌作为负极材料应用于锂离子电池上后，表现出电化学性能优秀、首次充放电效率高、比容量高以及循环性能好的优点。